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厂商型号

FJPF5027TU 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN 1100V/3A

内部编号

3-FJPF5027TU

#1

数量:74
1+¥5.214
25+¥4.378
100+¥3.476
250+¥3.129
500+¥2.736
1000+¥2.356
2000+¥2.195
最小起订量:1
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FJPF5027TU产品详细规格

规格书 FJPF5027TU datasheet 规格书
FJPF5027
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 800V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 2V @ 300mA, 1.5A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 10 @ 200mA, 5V
功率 - 最大 40W
频率转换 15MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装 TO-220F
包装材料 Tube
集电极最大直流电流 3
最小直流电流增益 10@0.2A@5V|8@1A@5V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-220F
最低工作温度 -55
最大功率耗散 40000
最大基地发射极电压 7
Maximum Transition Frequency 15(Typ)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 1100
供应商封装形式 TO-220F
最大集电极发射极电压 800
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 3A
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 15MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 2V @ 300mA, 1.5A
标准包装 50
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 800V
供应商设备封装 TO-220F
功率 - 最大 40W
封装/外壳 TO-220-3 Full Pack
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 10 @ 200mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 50
增益带宽产品fT 15 MHz
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 7 V
最大功率耗散 40 W
直流集电极/增益hfe最小值 10
集电极最大直流电流 3 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 800 V
安装风格 Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO 1.1 kV
最低工作温度 - 55 C
零件号别名 FJPF5027TU_NL
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 3 A

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